【(?)导(Dao)读(Du)】(?)MOSFET因(Yin)其(Qi)独(Du)特(Te)的(De)性(Xing)能(Neng)优(You)势(Shi)，(?)已(Yi)成(Cheng)为(Wei)模(Mo)拟(Ni)电(Dian)路(Lu)与(Yu)数(Shu)字(Zi)电(Dian)路(Lu)中(Zhong)不(Bu)可(Ke)或(Huo)缺(Que)的(De)元(Yuan)件(Jian)，(?)广(Guang)泛(Fan)应(Ying)用(Yong)于(Yu)消(Xiao)费(Fei)电(Dian)子(Zi)、(?)工(Gong)业(Ye)设(She)备(Bei)、(?)智(Zhi)能(Neng)手(Shou)机(Ji)及(Ji)便(Bian)携(Xie)式(Shi)数(Shu)码(Ma)产(Chan)品(Pin)中(Zhong)。(?)其(Qi)核(He)心(Xin)优(You)势(Shi)体(Ti)现(Xian)在(Zai)三(San)个(Ge)方(Fang)面(Mian)：(?)驱(Qu)动(Dong)电(Dian)路(Lu)设(She)计(Ji)简(Jian)化(Hua)，(?)所(Suo)需(Xu)驱(Qu)动(Dong)电(Dian)流(Liu)远(Yuan)低(Di)于(Yu)BJT，(?)可(Ke)直(Zhi)接(Jie)由(You)CMOS或(Huo)集(Ji)电(Dian)极(Ji)开(Kai)路(Lu)TTL电(Dian)路(Lu)驱(Qu)动(Dong)；(?)开(Kai)关(Guan)速(Su)度(Du)优(You)异(Yi)，(?)无(Wu)电(Dian)荷(He)存(Cun)储(Chu)效(Xiao)应(Ying)，(?)支(Zhi)持(Chi)高(Gao)速(Su)工(Gong)作(Zuo)；(?)热(Re)稳(Wen)定(Ding)性(Xing)强(Qiang)，(?)无(Wu)二(?)次(Ci)击(Ji)穿(Chuan)风(Feng)险(Xian)，(?)高(Gao)温(Wen)环(Huan)境(Jing)下(Xia)性(Xing)能(Neng)表(Biao)现(Xian)更(Geng)稳(Wen)定(Ding)。(?)这(Zhe)些(Xie)特(Te)性(Xing)使(Shi)MOSFET在(Zai)需(Xu)要(Yao)高(Gao)可(Ke)靠(Kao)性(Xing)、(?)高(Gao)效(Xiao)率(Lu)的(De)场(Chang)景(Jing)中(Zhong)表(Biao)现(Xian)尤(You)为(Wei)突(Tu)出(Chu)。(?)
MOSFET因(Yin)其(Qi)独(Du)特(Te)的(De)性(Xing)能(Neng)优(You)势(Shi)，(?)已(Yi)成(Cheng)为(Wei)模(Mo)拟(Ni)电(Dian)路(Lu)与(Yu)数(Shu)字(Zi)电(Dian)路(Lu)中(Zhong)不(Bu)可(Ke)或(Huo)缺(Que)的(De)元(Yuan)件(Jian)，(?)广(Guang)泛(Fan)应(Ying)用(Yong)于(Yu)消(Xiao)费(Fei)电(Dian)子(Zi)、(?)工(Gong)业(Ye)设(She)备(Bei)、(?)智(Zhi)能(Neng)手(Shou)机(Ji)及(Ji)便(Bian)携(Xie)式(Shi)数(Shu)码(Ma)产(Chan)品(Pin)中(Zhong)。(?)其(Qi)核(He)心(Xin)优(You)势(Shi)体(Ti)现(Xian)在(Zai)三(San)个(Ge)方(Fang)面(Mian)：(?)驱(Qu)动(Dong)电(Dian)路(Lu)设(She)计(Ji)简(Jian)化(Hua)，(?)所(Suo)需(Xu)驱(Qu)动(Dong)电(Dian)流(Liu)远(Yuan)低(Di)于(Yu)BJT，(?)可(Ke)直(Zhi)接(Jie)由(You)CMOS或(Huo)集(Ji)电(Dian)极(Ji)开(Kai)路(Lu)TTL电(Dian)路(Lu)驱(Qu)动(Dong)；(?)开(Kai)关(Guan)速(Su)度(Du)优(You)异(Yi)，(?)无(Wu)电(Dian)荷(He)存(Cun)储(Chu)效(Xiao)应(Ying)，(?)支(Zhi)持(Chi)高(Gao)速(Su)工(Gong)作(Zuo)；(?)热(Re)稳(Wen)定(Ding)性(Xing)强(Qiang)，(?)无(Wu)二(?)次(Ci)击(Ji)穿(Chuan)风(Feng)险(Xian)，(?)高(Gao)温(Wen)环(Huan)境(Jing)下(Xia)性(Xing)能(Neng)表(Biao)现(Xian)更(Geng)稳(Wen)定(Ding)。(?)这(Zhe)些(Xie)特(Te)性(Xing)使(Shi)MOSFET在(Zai)需(Xu)要(Yao)高(Gao)可(Ke)靠(Kao)性(Xing)、(?)高(Gao)效(Xiao)率(Lu)的(De)场(Chang)景(Jing)中(Zhong)表(Biao)现(Xian)尤(You)为(Wei)突(Tu)出(Chu)。(?)
近(Jin)年(Nian)来(Lai)，(?)随(Sui)着(Zhuo)汽(Qi)车(Che)、(?)通(Tong)信(Xin)、(?)能(Neng)源(Yuan)、(?)消(Xiao)费(Fei)、(?)绿(Lu)色(Se)工(Gong)业(Ye)等(Deng)大(Da)量(Liang)应(Ying)用(Yong)MOSFET产(Chan)品(Pin)的(De)行(Xing)业(Ye)在(Zai)近(Jin)几(Ji)年(Nian)来(Lai)得(De)到(Dao)了(Liao)快(Kuai)速(Su)的(De)发(Fa)展(Zhan)，(?)功(Gong)率(Lu)MOSFET更(Geng)是(Shi)备(Bei)受(Shou)关(Guan)注(Zhu)。(?)据(Ju)预(Yu)测(Ce)，(?)2010-2015年(Nian)中(Zhong)国(Guo)功(Gong)率(Lu)MOSFET市(Shi)场(Chang)的(De)总(Zong)体(Ti)复(Fu)合(He)年(Nian)度(Du)增(Zeng)长(Chang)率(Lu)将(Jiang)达(Da)到(Dao)13.7%。(?)虽(Sui)然(Ran)市(Shi)场(Chang)研(Yan)究(Jiu)公(Gong)司(Si) iSuppli 表(Biao)示(Shi)由(You)于(Yu)宏(Hong)观(Guan)的(De)投(Tou)资(Zi)和(He)经(Jing)济(Ji)政(Zheng)策(Ce)和(He)日(Ri)本(Ben)地(Di)震(Zhen)带(Dai)来(Lai)的(De)晶(Jing)圆(Yuan)与(Yu)原(Yuan)材(Cai)料(Liao)供(Gong)应(Ying)问(Wen)题(Ti)，(?)今(Jin)年(Nian)的(De)功(Gong)率(Lu)MOSFET市(Shi)场(Chang)会(Hui)放(Fang)缓(Huan)，(?)但(Dan)消(Xiao)费(Fei)电(Dian)子(Zi)和(He)数(Shu)据(Ju)处(Chu)理(Li)的(De)需(Xu)求(Qiu)依(Yi)然(Ran)旺(Wang)盛(Sheng)，(?)因(Yin)此(Ci)长(Chang)期(Qi)来(Lai)看(Kan)，(?)功(Gong)率(Lu)MOSFET的(De)增(Zeng)长(Chang)还(Huan)是(Shi)会(Hui)持(Chi)续(Xu)一(Yi)段(Duan)相(Xiang)当(Dang)长(Chang)的(De)时(Shi)间(Jian)。(?)
技(Ji)术(Shu)一(Yi)直(Zhi)在(Zai)进(Jin)步(Bu)，(?)功(Gong)率(Lu)MOSFET市(Shi)场(Chang)逐(Zhu)渐(Jian)受(Shou)到(Dao)了(Liao)新(Xin)技(Ji)术(Shu)的(De)挑(Tiao)战(Zhan)。(?)例(Li)如(Ru)，(?)业(Ye)内(Nei)有(You)不(Bu)少(Shao)公(Gong)司(Si)已(Yi)经(Jing)开(Kai)始(Shi)研(Yan)发(Fa)GaN功(Gong)率(Lu)器(Qi)件(Jian)，(?)并(Bing)且(Qie)断(Duan)言(Yan)硅(Gui)功(Gong)率(Lu)MOSFET的(De)性(Xing)能(Neng)可(Ke)提(Ti) 升(Sheng)的(De)空(Kong)间(Jian)已(Yi)经(Jing)非(Fei)常(Chang)有(You)限(Xian)。(?)不(Bu)过(Guo)，(?)GaN 对(Dui)功(Gong)率(Lu)MOSFET市(Shi)场(Chang)的(De)挑(Tiao)战(Zhan)还(Huan)处(Chu)于(Yu)非(Fei)常(Chang)初(Chu)期(Qi)的(De)阶(Jie)段(Duan)，(?)MOSFET在(Zai)技(Ji)术(Shu)成(Cheng)熟(Shu)度(Du)、(?)供(Gong)应(Ying)量(Liang)等(Deng)方(Fang)面(Mian)仍(Reng)然(Ran)占(Zhan)据(Ju)明(Ming)显(Xian)的(De)优(You)势(Shi)，(?)经(Jing)过(Guo)三(San)十(Shi)多(Duo)年(Nian)的(De)发(Fa)展(Zhan)，(?)MOSFET市(Shi)场(Chang) 也(Ye)不(Bu)会(Hui)轻(Qing)易(Yi)被(Bei)新(Xin)技(Ji)术(Shu)迅(Xun)速(Su)替(Ti)代(Dai)。(?)
五(Wu)年(Nian)甚(Shen)至(Zhi)更(Geng)长(Chang)的(De)时(Shi)间(Jian)内(Nei)，(?)MOSFET仍(Reng)会(Hui)占(Zhan)据(Ju)主(Zhu)导(Dao)的(De)位(Wei)置(Zhi)。(?)MOSFET也(Ye)仍(Reng)将(Jiang)是(Shi)众(Zhong)多(Duo)刚(Gang)入(Ru)行(Xing)的(De)工(Gong)程(Cheng)师(Shi)都(Du)会(Hui)接(Jie)触(Chu)到(Dao)的(De)器(Qi)件(Jian)，(?)本(Ben)期(Qi)半(Ban)月(Yue)谈(Tan)将(Jiang)会(Hui)从(Cong)基(Ji)础(Chu)开(Kai)始(Shi)，(?)探(Tan)讨(Tao)MOSFET的(De)一(Yi)些(Xie)基(Ji)础(Chu)知(Zhi)识(Shi)，(?)包(Bao)括(Kuo)选(Xuan)型(Xing)、(?)关(Guan)键(Jian)参(Can)数(Shu)的(De)介(Jie)绍(Shao)、(?)系(Xi)统(Tong)和(He)散(San)热(Re)的(De)考(Kao)虑(Lu)等(Deng)等(Deng)；(?)最(Zui)后(Hou)还(Huan)会(Hui)就(Jiu)一(Yi)些(Xie)最(Zui)常(Chang)见(Jian)的(De)热(Re)门(Men)应(Ying)用(Yong)为(Wei)大(Da)家(Jia)做(Zuo)一(Yi)些(Xie)介(Jie)绍(Shao)。(?)
MOSFET 的(De)选(Xuan)型(Xing)基(Ji)础(Chu)
MOSFET有(You)两(Liang)大(Da)类(Lei)型(Xing)：(?)N沟(Gou)道(Dao)和(He)P沟(Gou)道(Dao)。(?)在(Zai)功(Gong)率(Lu)系(Xi)统(Tong)中(Zhong)，(?)MOSFET可(Ke)被(Bei)看(Kan)成(Cheng)电(Dian)气(Qi)开(Kai)关(Guan)。(?)当(Dang)在(Zai)N沟(Gou)道(Dao)MOSFET的(De)栅(Zha)极(Ji)和(He)源(Yuan)极(Ji)间(Jian)加(Jia)上(Shang)正(Zheng)电(Dian)压(Ya)时(Shi)，(?)其(Qi)开(Kai)关(Guan)导(Dao) 通(Tong)。(?)导(Dao)通(Tong)时(Shi)，(?)电(Dian)流(Liu)可(Ke)经(Jing)开(Kai)关(Guan)从(Cong)漏(Lou)极(Ji)流(Liu)向(Xiang)源(Yuan)极(Ji)。(?)漏(Lou)极(Ji)和(He)源(Yuan)极(Ji)之(Zhi)间(Jian)存(Cun)在(Zai)一(Yi)个(Ge)内(Nei)阻(Zu)，(?)称(Cheng)为(Wei)导(Dao)通(Tong)电(Dian)阻(Zu)RDS（(?)ON）(?)。(?)必(Bi)须(Xu)清(Qing)楚(Chu)MOSFET的(De)栅(Zha)极(Ji)是(Shi)个(Ge)高(Gao)阻(Zu)抗(Kang)端(Duan)，(?)因(Yin)此(Ci)，(?)总(Zong) 是(Shi)要(Yao)在(Zai)栅(Zha)极(Ji)加(Jia)上(Shang)一(Yi)个(Ge)电(Dian)压(Ya)。(?)如(Ru)果(Guo)栅(Zha)极(Ji)为(Wei)悬(Xuan)空(Kong)，(?)器(Qi)件(Jian)将(Jiang)不(Bu)能(Neng)按(An)设(She)计(Ji)意(Yi)图(Tu)工(Gong)作(Zuo)，(?)并(Bing)可(Ke)能(Neng)在(Zai)不(Bu)恰(Qia)当(Dang)的(De)时(Shi)刻(Ke)导(Dao)通(Tong)或(Huo)关(Guan)闭(Bi)，(?)导(Dao)致(Zhi)系(Xi)统(Tong)产(Chan)生(Sheng)潜(Qian)在(Zai)的(De)功(Gong)率(Lu)损(Sun)耗(Hao)。(?)当(Dang)源(Yuan)极(Ji)和(He)栅(Zha)极(Ji)间(Jian)的(De)电(Dian) 压(Ya)为(Wei)零(Ling)时(Shi)，(?)开(Kai)关(Guan)关(Guan)闭(Bi)，(?)而(?)电(Dian)流(Liu)停(Ting)止(Zhi)通(Tong)过(Guo)器(Qi)件(Jian)。(?)虽(Sui)然(Ran)这(Zhe)时(Shi)器(Qi)件(Jian)已(Yi)经(Jing)关(Guan)闭(Bi)，(?)但(Dan)仍(Reng)然(Ran)有(You)微(Wei)小(Xiao)电(Dian)流(Liu)存(Cun)在(Zai)，(?)这(Zhe)称(Cheng)之(Zhi)为(Wei)漏(Lou)电(Dian)流(Liu)，(?)即(Ji)IDSS。(?)
作(Zuo)为(Wei)电(Dian)气(Qi)系(Xi)统(Tong)中(Zhong)的(De)基(Ji)本(Ben)部(Bu)件(Jian)，(?)工(Gong)程(Cheng)师(Shi)如(Ru)何(He)根(Gen)据(Ju)参(Can)数(Shu)做(Zuo)出(Chu)正(Zheng)确(Que)选(Xuan)择(Ze)呢(Ne)？(?)本(Ben)文(Wen)将(Jiang)讨(Tao)论(Lun)如(Ru)何(He)通(Tong)过(Guo)四(Si)步(Bu)来(Lai)选(Xuan)择(Ze)正(Zheng)确(Que)的(De)MOSFET。(?)
1）(?)沟(Gou)道(Dao)的(De)选(Xuan)择(Ze)。(?)为(Wei)设(She)计(Ji)选(Xuan)择(Ze)正(Zheng)确(Que)器(Qi)件(Jian)的(De)第(Di)一(Yi)步(Bu)是(Shi)决(Jue)定(Ding)采(Cai)用(Yong)N沟(Gou)道(Dao)还(Huan)是(Shi)P沟(Gou)道(Dao)MOSFET.在(Zai)典(Dian)型(Xing)的(De)功(Gong)率(Lu)应(Ying)用(Yong)中(Zhong)，(?)当(Dang)一(Yi)个(Ge)MOSFET接(Jie)地(Di)，(?)而(?)负(Fu)载(Zai)连(Lian)接(Jie)到(Dao)干(Gan)线(Xian)电(Dian) 压(Ya)上(Shang)时(Shi)，(?)该(Gai)MOSFET就(Jiu)构(Gou)成(Cheng)了(Liao)低(Di)压(Ya)侧(Ce)开(Kai)关(Guan)。(?)在(Zai)低(Di)压(Ya)侧(Ce)开(Kai)关(Guan)中(Zhong)，(?)应(Ying)采(Cai)用(Yong)N沟(Gou)道(Dao)MOSFET,这(Zhe)是(Shi)出(Chu)于(Yu)对(Dui)关(Guan)闭(Bi)或(Huo)导(Dao)通(Tong)器(Qi)件(Jian)所(Suo)需(Xu)电(Dian)压(Ya)的(De)考(Kao)虑(Lu)。(?)当(Dang)MOSFET连(Lian)接(Jie)到(Dao) 总(Zong)线(Xian)及(Ji)负(Fu)载(Zai)接(Jie)地(Di)时(Shi)，(?)就(Jiu)要(Yao)用(Yong)高(Gao)压(Ya)侧(Ce)开(Kai)关(Guan)。(?)通(Tong)常(Chang)会(Hui)在(Zai)这(Zhe)个(Ge)拓(Tuo)扑(Pu)中(Zhong)采(Cai)用(Yong)P沟(Gou)道(Dao)MOSFET,这(Zhe)也(Ye)是(Shi)出(Chu)于(Yu)对(Dui)电(Dian)压(Ya)驱(Qu)动(Dong)的(De)考(Kao)虑(Lu)。(?)
2）(?)电(Dian)压(Ya)和(He)电(Dian)流(Liu)的(De)选(Xuan)择(Ze)。(?)额(E)定(Ding)电(Dian)压(Ya)越(Yue)大(Da)，(?)器(Qi)件(Jian)的(De)成(Cheng)本(Ben)就(Jiu)越(Yue)高(Gao)。(?)根(Gen)据(Ju)实(Shi)践(Jian)经(Jing)验(Yan)，(?)额(E)定(Ding)电(Dian)压(Ya)应(Ying)当(Dang)大(Da)于(Yu)干(Gan)线(Xian)电(Dian)压(Ya)或(Huo)总(Zong)线(Xian)电(Dian)压(Ya)。(?)这(Zhe)样(Yang)才(Cai)能(Neng)提(Ti)供(Gong)足(Zu)够(Gou)的(De)保(Bao)护(Hu)，(?)使(Shi)MOSFET不(Bu) 会(Hui)失(Shi)效(Xiao)。(?)就(Jiu)选(Xuan)择(Ze)MOSFET而(?)言(Yan)，(?)必(Bi)须(Xu)确(Que)定(Ding)漏(Lou)极(Ji)至(Zhi)源(Yuan)极(Ji)间(Jian)可(Ke)能(Neng)承(Cheng)受(Shou)的(De)最(Zui)大(Da)电(Dian)压(Ya)，(?)即(Ji)最(Zui)大(Da)VDS.设(She)计(Ji)工(Gong)程(Cheng)师(Shi)需(Xu)要(Yao)考(Kao)虑(Lu)的(De)其(Qi)他(Ta)安(An)全(Quan)因(Yin)素(Su)包(Bao)括(Kuo)由(You)开(Kai)关(Guan)电(Dian)子(Zi)设(She)备(Bei)（(?)如(Ru)电(Dian)机(Ji) 或(Huo)变(Bian)压(Ya)器(Qi)）(?)诱(You)发(Fa)的(De)电(Dian)压(Ya)瞬(Shun)变(Bian)。(?)不(Bu)同(Tong)应(Ying)用(Yong)的(De)额(E)定(Ding)电(Dian)压(Ya)也(Ye)有(You)所(Suo)不(Bu)同(Tong)；(?)通(Tong)常(Chang)，(?)便(Bian)携(Xie)式(Shi)设(She)备(Bei)为(Wei)20V、(?)FPGA电(Dian)源(Yuan)为(Wei)20~30V、(?)85~220VAC应(Ying)用(Yong)为(Wei)450~600V。(?)
在(Zai)连(Lian)续(Xu)导(Dao)通(Tong)模(Mo)式(Shi)下(Xia)，(?)MOSFET处(Chu)于(Yu)稳(Wen)态(Tai)，(?)此(Ci)时(Shi)电(Dian)流(Liu)连(Lian)续(Xu)通(Tong)过(Guo)器(Qi)件(Jian)。(?)脉(Mai)冲(Chong)尖(Jian)峰(Feng)是(Shi)指(Zhi)有(You)大(Da)量(Liang)电(Dian)涌(Yong)（(?)或(Huo)尖(Jian)峰(Feng)电(Dian)流(Liu)）(?)流(Liu)过(Guo)器(Qi)件(Jian)。(?)一(Yi)旦(Dan)确(Que)定(Ding)了(Liao)这(Zhe)些(Xie)条(Tiao)件(Jian)下(Xia)的(De)最(Zui)大(Da)电(Dian)流(Liu)，(?)只(Zhi)需(Xu)直(Zhi)接(Jie)选(Xuan)择(Ze)能(Neng)承(Cheng)受(Shou)这(Zhe)个(Ge)最(Zui)大(Da)电(Dian)流(Liu)的(De)器(Qi)件(Jian)便(Bian)可(Ke)。(?)
3）(?)计(Ji)算(Suan)导(Dao)通(Tong)损(Sun)耗(Hao)。(?)MOSFET器(Qi)件(Jian)的(De)功(Gong)率(Lu)耗(Hao)损(Sun)可(Ke)由(You)Iload2×(?)RDS（(?)ON）(?)计(Ji)算(Suan)，(?)由(You)于(Yu)导(Dao)通(Tong)电(Dian)阻(Zu)随(Sui)温(Wen)度(Du)变(Bian)化(Hua)，(?)因(Yin)此(Ci)功(Gong)率(Lu)耗(Hao)损(Sun)也(Ye)会(Hui)随(Sui)之(Zhi)按(An)比(Bi)例(Li)变(Bian)化(Hua)。(?)对(Dui)便(Bian)携(Xie) 式(Shi)设(She)计(Ji)来(Lai)说(Shuo)，(?)采(Cai)用(Yong)较(Jiao)低(Di)的(De)电(Dian)压(Ya)比(Bi)较(Jiao)容(Rong)易(Yi)（(?)较(Jiao)为(Wei)普(Pu)遍(Bian)）(?)，(?)而(?)对(Dui)于(Yu)工(Gong)业(Ye)设(She)计(Ji)，(?)可(Ke)采(Cai)用(Yong)较(Jiao)高(Gao)的(De)电(Dian)压(Ya)。(?)注(Zhu)意(Yi)RDS（(?)ON）(?)电(Dian)阻(Zu)会(Hui)随(Sui)着(Zhuo)电(Dian)流(Liu)轻(Qing)微(Wei)上(Shang)升(Sheng)。(?)关(Guan)于(Yu)RDS（(?)ON）(?)电(Dian) 阻(Zu)的(De)各(Ge)种(Zhong)电(Dian)气(Qi)参(Can)数(Shu)变(Bian)化(Hua)可(Ke)在(Zai)制(Zhi)造(Zao)商(Shang)提(Ti)供(Gong)的(De)技(Ji)术(Shu)资(Zi)料(Liao)表(Biao)中(Zhong)查(Cha)到(Dao)。(?)
4）(?)计(Ji)算(Suan)系(Xi)统(Tong)的(De)散(San)热(Re)要(Yao)求(Qiu)。(?)设(She)计(Ji)人(Ren)员(Yuan)必(Bi)须(Xu)考(Kao)虑(Lu)两(Liang)种(Zhong)不(Bu)同(Tong)的(De)情(Qing)况(Kuang)，(?)即(Ji)最(Zui)坏(Huai)情(Qing)况(Kuang)和(He)真(Zhen)实(Shi)情(Qing)况(Kuang)。(?)建(Jian)议(Yi)采(Cai)用(Yong)针(Zhen)对(Dui)最(Zui)坏(Huai)情(Qing)况(Kuang)的(De)计(Ji)算(Suan)结(Jie)果(Guo)，(?)因(Yin)为(Wei)这(Zhe)个(Ge)结(Jie)果(Guo)提(Ti)供(Gong)更(Geng)大(Da)的(De)安(An)全(Quan)余(Yu)量(Liang)，(?)能(Neng) 确(Que)保(Bao)系(Xi)统(Tong)不(Bu)会(Hui)失(Shi)效(Xiao)。(?)在(Zai)MOSFET的(De)资(Zi)料(Liao)表(Biao)上(Shang)还(Huan)有(You)一(Yi)些(Xie)需(Xu)要(Yao)注(Zhu)意(Yi)的(De)测(Ce)量(Liang)数(Shu)据(Ju)；(?)比(Bi)如(Ru)封(Feng)装(Zhuang)器(Qi)件(Jian)的(De)半(Ban)导(Dao)体(Ti)结(Jie)与(Yu)环(Huan)境(Jing)之(Zhi)间(Jian)的(De)热(Re)阻(Zu)，(?)以(Yi)及(Ji)最(Zui)大(Da)的(De)结(Jie)温(Wen)。(?)
开(Kai)关(Guan)损(Sun)耗(Hao)其(Qi)实(Shi)也(Ye)是(Shi)一(Yi)个(Ge)很(Hen)重(Zhong)要(Yao)的(De)指(Zhi)标(Biao)。(?)从(Cong)下(Xia)图(Tu)可(Ke)以(Yi)看(Kan)到(Dao)，(?)导(Dao)通(Tong)瞬(Shun)间(Jian)的(De)电(Dian)压(Ya)电(Dian)流(Liu)乘(Cheng)积(Ji)相(Xiang)当(Dang)大(Da)。(?)一(Yi)定(Ding)程(Cheng)度(Du)上(Shang)决(Jue)定(Ding)了(Liao)器(Qi)件(Jian)的(De)开(Kai)关(Guan)性(Xing)能(Neng)。(?)不(Bu)过(Guo)，(?)如(Ru)果(Guo)系(Xi)统(Tong)对(Dui)开(Kai)关(Guan)性(Xing)能(Neng)要(Yao)求(Qiu)比(Bi)较(Jiao)高(Gao)，(?)可(Ke)以(Yi)选(Xuan)择(Ze)栅(Zha)极(Ji)电(Dian)荷(He)QG比(Bi)较(Jiao)小(Xiao)的(De)功(Gong)率(Lu)MOSFET。(?)
MOSFET应(Ying)用(Yong)案(An)例(Li)解(Jie)析(Xi)
1. 开(Kai)关(Guan)电(Dian)源(Yuan)应(Ying)用(Yong)
从(Cong)定(Ding)义(Yi)上(Shang)而(?)言(Yan)，(?)这(Zhe)种(Zhong)应(Ying)用(Yong)需(Xu)要(Yao)MOSFET定(Ding)期(Qi)导(Dao)通(Tong)和(He)关(Guan)断(Duan)。(?)同(Tong)时(Shi)，(?)有(You)数(Shu)十(Shi)种(Zhong)拓(Tuo)扑(Pu)可(Ke)用(Yong)于(Yu)开(Kai)关(Guan)电(Dian)源(Yuan)，(?)这(Zhe)里(Li)考(Kao)虑(Lu)一(Yi)个(Ge)简(Jian)单(Dan)的(De)例(Li)子(Zi)。(?)DC-DC电(Dian)源(Yuan)中(Zhong)常(Chang)用(Yong)的(De)基(Ji)本(Ben)降(Jiang)压(Ya)转(Zhuan)换(Huan)器(Qi)依(Yi)靠(Kao)两(Liang)个(Ge)MOSFET来(Lai)执(Zhi)行(Xing)开(Kai)关(Guan)功(Gong)能(Neng)（(?)下(Xia)图(Tu)）(?)，(?)这(Zhe)些(Xie)开(Kai)关(Guan)交(Jiao)替(Ti)在(Zai)电(Dian)感(Gan)里(Li)存(Cun)储(Chu)能(Neng)量(Liang)，(?)然(Ran)后(Hou)把(Ba)能(Neng)量(Liang)开(Kai)释(Shi)给(Gei)负(Fu)载(Zai)。(?)目(Mu)前(Qian)，(?)设(She)计(Ji)职(Zhi)员(Yuan)经(Jing)常(Chang)选(Xuan)择(Ze)数(Shu)百(Bai)kHz乃(Nai)至(Zhi)1 MHz以(Yi)上(Shang)的(De)频(Pin)率(Lu)，(?)由(You)于(Yu)频(Pin)率(Lu)越(Yue)高(Gao)，(?)磁(Ci)性(Xing)元(Yuan)件(Jian)可(Ke)以(Yi)更(Geng)小(Xiao)更(Geng)轻(Qing)。(?)开(Kai)关(Guan)电(Dian)源(Yuan)中(Zhong)第(Di)二(?)重(Zhong)要(Yao)的(De)MOSFET参(Can)数(Shu)包(Bao)括(Kuo)输(Shu)出(Chu)电(Dian)容(Rong)、(?)阈(Yu)值(Zhi)电(Dian)压(Ya)、(?)栅(Zha)极(Ji)阻(Zu)抗(Kang)和(He)雪(Xue)崩(Beng)能(Neng)量(Liang)。(?)
2.马(Ma)达(Da)控(Kong)制(Zhi)应(Ying)用(Yong)
马(Ma)达(Da)控(Kong)制(Zhi)应(Ying)用(Yong)是(Shi)功(Gong)率(Lu)MOSFET大(Da)有(You)用(Yong)武(Wu)之(Zhi)地(Di)的(De)另(Ling)一(Yi)个(Ge)应(Ying)用(Yong)领(Ling)域(Yu)。(?)典(Dian)型(Xing)的(De)半(Ban)桥(Qiao)式(Shi)控(Kong)制(Zhi)电(Dian)路(Lu)采(Cai)用(Yong)2个(Ge)MOSFET （(?)全(Quan)桥(Qiao)式(Shi)则(Ze)采(Cai)用(Yong)4个(Ge)）(?)，(?)但(Dan)这(Zhe)两(Liang)个(Ge)MOSFET的(De)关(Guan)断(Duan)时(Shi)间(Jian)（(?)死(Si)区(Qu)时(Shi)间(Jian)）(?)相(Xiang)等(Deng)。(?)对(Dui)于(Yu)这(Zhe)类(Lei)应(Ying)用(Yong)，(?)反(Fan)向(Xiang)恢(Hui)复(Fu)时(Shi)间(Jian)（(?)trr）(?)非(Fei)常(Chang)重(Zhong)要(Yao)。(?)在(Zai)控(Kong)制(Zhi)电(Dian)感(Gan)式(Shi)负(Fu)载(Zai)（(?)比(Bi)如(Ru)马(Ma)达(Da)绕(Rao)组(Zu)）(?)时(Shi)，(?)控(Kong)制(Zhi)电(Dian)路(Lu)把(Ba)桥(Qiao)式(Shi)电(Dian)路(Lu)中(Zhong)的(De)MOSFET切(Qie)换(Huan)到(Dao)关(Guan)断(Duan)状(Zhuang)态(Tai)，(?)此(Ci)时(Shi)桥(Qiao)式(Shi)电(Dian)路(Lu)中(Zhong)的(De)另(Ling)一(Yi)个(Ge)开(Kai)关(Guan)经(Jing)过(Guo)MOSFET中(Zhong)的(De)体(Ti)二(?)极(Ji)管(Guan)临(Lin)时(Shi)反(Fan)向(Xiang)传(Chuan)导(Dao)电(Dian)流(Liu)。(?)于(Yu)是(Shi)，(?)电(Dian)流(Liu)重(Zhong)新(Xin)循(Xun)环(Huan)，(?)继(Ji)续(Xu)为(Wei)马(Ma)达(Da)供(Gong)电(Dian)。(?)当(Dang)第(Di)一(Yi)个(Ge)MOSFET再(Zai)次(Ci)导(Dao)通(Tong)时(Shi)，(?)另(Ling)一(Yi)个(Ge)MOSFET二(?)极(Ji)管(Guan)中(Zhong)存(Cun)储(Chu)的(De)电(Dian)荷(He)必(Bi)须(Xu)被(Bei)移(Yi)除(Chu)，(?)通(Tong)过(Guo)第(Di)一(Yi)个(Ge)MOSFET放(Fang)电(Dian)，(?)而(?)这(Zhe)是(Shi)一(Yi)种(Zhong)能(Neng)量(Liang)的(De)损(Sun)耗(Hao)，(?)故(Gu)trr 越(Yue)短(Duan)，(?)这(Zhe)种(Zhong)损(Sun)耗(Hao)越(Yue)小(Xiao)。(?)
3.汽(Qi)车(Che)应(Ying)用(Yong)
过(Guo)去(Qu)的(De)近(Jin)20年(Nian)里(Li)，(?)汽(Qi)车(Che)用(Yong)功(Gong)率(Lu)MOSFET已(Yi)经(Jing)得(De)到(Dao)了(Liao)长(Chang)足(Zu)发(Fa)展(Zhan)。(?)选(Xuan)用(Yong)功(Gong)率(Lu)MOSFET是(Shi)因(Yin)为(Wei)其(Qi)能(Neng)够(Gou)耐(Nai)受(Shou)汽(Qi)车(Che)电(Dian)子(Zi)系(Xi)统(Tong)中(Zhong)常(Chang)遇(Yu)到(Dao)的(De)掉(Diao)载(Zai)和(He)系(Xi)统(Tong)能(Neng)量(Liang)突(Tu)变(Bian)等(Deng)引(Yin)起(Qi)的(De) 瞬(Shun)态(Tai)高(Gao)压(Ya)现(Xian)象(Xiang)，(?)且(Qie)其(Qi)封(Feng)装(Zhuang)简(Jian)单(Dan)，(?)主(Zhu)要(Yao)采(Cai)用(Yong)TO220 和(He) TO247封(Feng)装(Zhuang)。(?)同(Tong)时(Shi)，(?)电(Dian)动(Dong)车(Che)窗(Chuang)、(?)燃(Ran)油(You)喷(Pen)射(She)、(?)间(Jian)歇(Xie)式(Shi)雨(Yu)刷(Shua)和(He)巡(Xun)航(Hang)控(Kong)制(Zhi)等(Deng)应(Ying)用(Yong)已(Yi)逐(Zhu)渐(Jian)成(Cheng)为(Wei)大(Da)多(Duo)数(Shu)汽(Qi)车(Che)的(De)标(Biao)配(Pei)，(?)在(Zai)设(She)计(Ji)中(Zhong)需(Xu)要(Yao)类(Lei)似(Si)的(De)功(Gong)率(Lu)器(Qi)件(Jian)。(?)在(Zai)这(Zhe)期(Qi)间(Jian)，(?)随(Sui)着(Zhuo)电(Dian)机(Ji)、(?) 螺(Luo)线(Xian)管(Guan)和(He)燃(Ran)油(You)喷(Pen)射(She)器(Qi)日(Ri)益(Yi)普(Pu)及(Ji)，(?)车(Che)用(Yong)功(Gong)率(Lu)MOSFET也(Ye)不(Bu)断(Duan)发(Fa)展(Zhan)壮(Zhuang)大(Da)。(?)
汽(Qi)车(Che)设(She)备(Bei)中(Zhong)所(Suo)用(Yong)的(De)MOSFET器(Qi)件(Jian)涉(She)及(Ji)广(Guang)泛(Fan)的(De)电(Dian)压(Ya)、(?)电(Dian)流(Liu)和(He)导(Dao)通(Tong)电(Dian)阻(Zu)范(Fan)围(Wei)。(?)电(Dian)机(Ji)控(Kong)制(Zhi)设(She)备(Bei)桥(Qiao)接(Jie)配(Pei)置(Zhi)会(Hui)使(Shi)用(Yong)30V和(He)40V击(Ji)穿(Chuan)电(Dian)压(Ya)型(Xing)号(Hao)；(?)而(?)在(Zai)必(Bi)须(Xu)控(Kong)制(Zhi)负(Fu)载(Zai)突(Tu)卸(Xie)和(He) 突(Tu)升(Sheng)启(Qi)动(Dong)情(Qing)况(Kuang)的(De)场(Chang)合(He)，(?)会(Hui)使(Shi)用(Yong)60V装(Zhuang)置(Zhi)驱(Qu)动(Dong)负(Fu)载(Zai)；(?)当(Dang)行(Xing)业(Ye)标(Biao)准(Zhun)转(Zhuan)移(Yi)至(Zhi)42V电(Dian)池(Chi)系(Xi)统(Tong)时(Shi)，(?)则(Ze)需(Xu)采(Cai)用(Yong)75V技(Ji)术(Shu)。(?)高(Gao)辅(Fu)助(Zhu)电(Dian)压(Ya)的(De)设(She)备(Bei)需(Xu)要(Yao)使(Shi)用(Yong)100V至(Zhi)150V型(Xing)款(Kuan)；(?)至(Zhi)于(Yu)400V以(Yi)上(Shang)的(De)MOSFET器(Qi)件(Jian)则(Ze)应(Ying)用(Yong)于(Yu)发(Fa)动(Dong)机(Ji)驱(Qu)动(Dong)器(Qi)机(Ji)组(Zu)和(He)高(Gao)亮(Liang)度(Du)放(Fang)电(Dian)（(?)HID）(?)前(Qian)灯(Deng)的(De)控(Kong)制(Zhi)电(Dian)路(Lu)。(?)
汽(Qi)车(Che)MOSFET驱(Qu)动(Dong)电(Dian)流(Liu)的(De)范(Fan)围(Wei)由(You)2A至(Zhi)100A以(Yi)上(Shang)，(?)导(Dao)通(Tong)电(Dian)阻(Zu)的(De)范(Fan)围(Wei)为(Wei)2mΩ(?)至(Zhi)100mΩ(?)。(?)MOSFET的(De)负(Fu)载(Zai)包(Bao)括(Kuo)电(Dian)机(Ji)、(?)阀(Fa)门(Men)、(?)灯(Deng)、(?)加(Jia)热(Re)部(Bu)件(Jian)、(?)电(Dian)容(Rong)性(Xing)压(Ya)电(Dian)组(Zu)件(Jian)和(He)DC/DC电(Dian)源(Yuan)。(?)开(Kai)关(Guan)频(Pin)率(Lu)的(De)范(Fan)围(Wei)通(Tong)常(Chang)为(Wei)10kHz 至(Zhi)100kHz，(?)必(Bi)须(Xu)注(Zhu)意(Yi)的(De)是(Shi)，(?)电(Dian)机(Ji)控(Kong)制(Zhi)不(Bu)适(Shi)用(Yong)开(Kai)关(Guan)频(Pin)率(Lu)在(Zai)20kHz以(Yi)上(Shang)。(?)其(Qi)它(Ta)的(De)主(Zhu)要(Yao)需(Xu)求(Qiu)是(Shi)UIS性(Xing)能(Neng)，(?)结(Jie)点(Dian)温(Wen)度(Du)极(Ji)限(Xian)下(Xia)（(?)-40度(Du)至(Zhi)175度(Du)，(?)有(You)时(Shi)高(Gao)达(Da)200度(Du)）(?)的(De)工(Gong)作(Zuo)状(Zhuang)况(Kuang)，(?)以(Yi)及(Ji)超(Chao)越(Yue)汽(Qi)车(Che)使(Shi)用(Yong)寿(Shou)命(Ming)的(De)高(Gao)可(Ke)靠(Kao)性(Xing)。(?)
4. LED 灯(Deng)具(Ju)的(De)驱(Qu)动(Dong)。(?)
设(She)计(Ji)LED灯(Deng)具(Ju)的(De)时(Shi)候(Hou)经(Jing)常(Chang)要(Yao)使(Shi)用(Yong)MOS管(Guan)，(?)对(Dui)LED恒(Heng)流(Liu)驱(Qu)动(Dong)而(?)言(Yan)，(?)一(Yi)般(Ban)使(Shi)用(Yong)NMOS.功(Gong)率(Lu)MOSFET和(He)双(Shuang)极(Ji)型(Xing)晶(Jing)体(Ti)管(Guan)不(Bu)同(Tong)，(?)它(Ta)的(De)栅(Zha)极(Ji)电(Dian)容(Rong)比(Bi)较(Jiao)大(Da)，(?)在(Zai)导(Dao)通(Tong)之(Zhi)前(Qian)要(Yao)先(Xian)对(Dui)该(Gai)电(Dian)容(Rong)充(Chong)电(Dian)，(?)当(Dang)电(Dian)容(Rong)电(Dian)压(Ya)超(Chao)过(Guo)阈(Yu)值(Zhi)电(Dian)压(Ya)（(?)VGS-TH）(?)时(Shi)MOSFET才(Cai)开(Kai)始(Shi)导(Dao)通(Tong)。(?)因(Yin)此(Ci)，(?)设(She)计(Ji)时(Shi)必(Bi)须(Xu)注(Zhu)意(Yi)栅(Zha)极(Ji)驱(Qu)动(Dong)器(Qi)负(Fu)载(Zai)能(Neng)力(Li)必(Bi)须(Xu)足(Zu)够(Gou)大(Da)，(?)以(Yi)保(Bao)证(Zheng)在(Zai)系(Xi)统(Tong)要(Yao)求(Qiu)的(De)时(Shi)间(Jian)内(Nei)完(Wan)成(Cheng)对(Dui)等(Deng)效(Xiao)栅(Zha)极(Ji)电(Dian)容(Rong)（(?)CEI）(?)的(De)充(Chong)电(Dian)。(?)
而(?)MOSFET的(De)开(Kai)关(Guan)速(Su)度(Du)和(He)其(Qi)输(Shu)入(Ru)电(Dian)容(Rong)的(De)充(Chong)放(Fang)电(Dian)有(You)很(Hen)大(Da)关(Guan)系(Xi)。(?)使(Shi)用(Yong)者(Zhe)虽(Sui)然(Ran)无(Wu)法(Fa)降(Jiang)低(Di)Cin的(De)值(Zhi)，(?)但(Dan)可(Ke)以(Yi)降(Jiang)低(Di)栅(Zha)极(Ji)驱(Qu)动(Dong)回(Hui)路(Lu)信(Xin)号(Hao)源(Yuan)内(Nei)阻(Zu)Rs的(De)值(Zhi)，(?)从(Cong)而(?)减(Jian)小(Xiao)栅(Zha)极(Ji)回(Hui)路(Lu) 的(De)充(Chong)放(Fang)电(Dian)时(Shi)间(Jian)常(Chang)数(Shu)，(?)加(Jia)快(Kuai)开(Kai)关(Guan)速(Su)度(Du)一(Yi)般(Ban)IC驱(Qu)动(Dong)能(Neng)力(Li)主(Zhu)要(Yao)体(Ti)现(Xian)在(Zai)这(Zhe)里(Li)，(?)我(Wo)们(Men)谈(Tan)选(Xuan)择(Ze)MOSFET是(Shi)指(Zhi)外(Wai)置(Zhi)MOSFET驱(Qu)动(Dong)恒(Heng)流(Liu)IC。(?)内(Nei)置(Zhi)MOSFET的(De)IC当(Dang)然(Ran) 不(Bu)用(Yong)我(Wo)们(Men)再(Zai)考(Kao)虑(Lu)了(Liao)，(?)一(Yi)般(Ban)大(Da)于(Yu)1A电(Dian)流(Liu)会(Hui)考(Kao)虑(Lu)外(Wai)置(Zhi)MOSFET。(?)为(Wei)了(Liao)获(Huo)得(De)到(Dao)更(Geng)大(Da)、(?)更(Geng)灵(Ling)活(Huo)的(De)LED功(Gong)率(Lu)能(Neng)力(Li)，(?)外(Wai)置(Zhi)MOSFET是(Shi)唯(Wei)一(Yi)的(De)选(Xuan)择(Ze)方(Fang)式(Shi)，(?)IC需(Xu)要(Yao)合(He)适(Shi) 的(De)驱(Qu)动(Dong)能(Neng)力(Li)，(?)MOSFET输(Shu)入(Ru)电(Dian)容(Rong)是(Shi)关(Guan)键(Jian)的(De)参(Can)数(Shu)。(?)下(Xia)图(Tu)Cgd和(He)Cgs是(Shi)MOSFET等(Deng)效(Xiao)结(Jie)电(Dian)容(Rong)。(?)
一(Yi)般(Ban)IC的(De)PWM OUT输(Shu)出(Chu)内(Nei)部(Bu)集(Ji)成(Cheng)了(Liao)限(Xian)流(Liu)电(Dian)阻(Zu)，(?)具(Ju)体(Ti)数(Shu)值(Zhi)大(Da)小(Xiao)同(Tong)IC的(De)峰(Feng)值(Zhi)驱(Qu)动(Dong)输(Shu)出(Chu)能(Neng)力(Li)有(You)关(Guan)，(?)可(Ke)以(Yi)近(Jin)似(Si)认(Ren)为(Wei)R=Vcc/Ipeak.一(Yi)般(Ban)结(Jie)合(He)IC驱(Qu)动(Dong)能(Neng)力(Li) Rg选(Xuan)择(Ze)在(Zai)10-20Ω(?)左(Zuo)右(You)。(?)
一(Yi)般(Ban)的(De)应(Ying)用(Yong)中(Zhong)IC的(De)驱(Qu)动(Dong)可(Ke)以(Yi)直(Zhi)接(Jie)驱(Qu)动(Dong)MOSFET,但(Dan)是(Shi)考(Kao)虑(Lu)到(Dao)通(Tong)常(Chang)驱(Qu)动(Dong)走(Zou)线(Xian)不(Bu)是(Shi)直(Zhi)线(Xian)，(?)感(Gan)量(Liang)可(Ke)能(Neng)会(Hui)更(Geng)大(Da)，(?)并(Bing)且(Qie)为(Wei)了(Liao)防(Fang)止(Zhi)外(Wai)部(Bu)干(Gan)扰(Rao)，(?)还(Huan)是(Shi)要(Yao)使(Shi)用(Yong)Rg驱(Qu)动(Dong)电(Dian)阻(Zu)进(Jin)行(Xing)抑(Yi)制(Zhi)。(?)考(Kao)虑(Lu)到(Dao)走(Zou)线(Xian)分(Fen)布(Bu)电(Dian)容(Rong)的(De)影(Ying)响(Xiang)，(?)这(Zhe)个(Ge)电(Dian)阻(Zu)要(Yao)尽(Jin)量(Liang)靠(Kao)近(Jin)MOSFET的(De)栅(Zha)极(Ji)。(?)
以(Yi)上(Shang)讨(Tao)论(Lun)的(De)是(Shi)MOSFET ON状(Zhuang)态(Tai)时(Shi)电(Dian)阻(Zu)的(De)选(Xuan)择(Ze)，(?)在(Zai)MOSFET OFF状(Zhuang)态(Tai)时(Shi)为(Wei)了(Liao)保(Bao)证(Zheng)栅(Zha)极(Ji)电(Dian)荷(He)快(Kuai)速(Su)泻(Xie)放(Fang)，(?)此(Ci)时(Shi)阻(Zu)值(Zhi)要(Yao)尽(Jin)量(Liang)小(Xiao)。(?)通(Tong)常(Chang)为(Wei)了(Liao)保(Bao)证(Zheng)快(Kuai)速(Su)泻(Xie)放(Fang)，(?)在(Zai)Rg上(Shang)可(Ke)以(Yi)并(Bing)联(Lian)一(Yi)个(Ge)二(?)极(Ji)管(Guan)。(?)当(Dang)泻(Xie)放(Fang)电(Dian)阻(Zu)过(Guo)小(Xiao)，(?)由(You)于(Yu)走(Zou)线(Xian)电(Dian)感(Gan)的(De)原(Yuan)因(Yin)也(Ye)会(Hui)引(Yin)起(Qi)谐(Xie)振(Zhen)（(?)因(Yin)此(Ci)有(You)些(Xie)应(Ying)用(Yong)中(Zhong)也(Ye)会(Hui)在(Zai)这(Zhe)个(Ge)二(?)极(Ji)管(Guan)上(Shang)串(Chuan)一(Yi)个(Ge)小(Xiao)电(Dian)阻(Zu)）(?)，(?)但(Dan)是(Shi)由(You)于(Yu)二(?)极(Ji)管(Guan)的(De)反(Fan)向(Xiang)电(Dian)流(Liu)不(Bu)导(Dao)通(Tong)，(?)此(Ci)时(Shi)Rg又(You)参(Can)与(Yu)反(Fan)向(Xiang)谐(Xie)振(Zhen)回(Hui)路(Lu)，(?)因(Yin)此(Ci)可(Ke)以(Yi)抑(Yi)制(Zhi)反(Fan)向(Xiang)谐(Xie)振(Zhen)的(De)尖(Jian)峰(Feng)。(?)
估(Gu)算(Suan)导(Dao)通(Tong)损(Sun)耗(Hao)、(?)输(Shu)出(Chu)的(De)要(Yao)求(Qiu)和(He)结(Jie)区(Qu)温(Wen)度(Du)的(De)时(Shi)候(Hou)，(?)就(Jiu)可(Ke)以(Yi)参(Can)考(Kao)前(Qian)文(Wen)所(Suo)指(Zhi)出(Chu)的(De)方(Fang)法(Fa)。(?)
MOSFET的(De)应(Ying)用(Yong)领(Ling)域(Yu)非(Fei)常(Chang)广(Guang)泛(Fan)，(?)远(Yuan)非(Fei)一(Yi)两(Liang)篇(Pian)文(Wen)章(Zhang)可(Ke)以(Yi)概(Gai)括(Kuo)。(?)
免(Mian)责(Ze)声(Sheng)明(Ming)：(?)本(Ben)文(Wen)为(Wei)转(Zhuan)载(Zai)文(Wen)章(Zhang)，(?)转(Zhuan)载(Zai)此(Ci)文(Wen)目(Mu)的(De)在(Zai)于(Yu)传(Chuan)递(Di)更(Geng)多(Duo)信(Xin)息(Xi)，(?)版(Ban)权(Quan)归(Gui)原(Yuan)作(Zuo)者(Zhe)所(Suo)有(You)。(?)本(Ben)文(Wen)所(Suo)用(Yong)视(Shi)频(Pin)、(?)图(Tu)片(Pian)、(?)文(Wen)字(Zi)如(Ru)涉(She)及(Ji)作(Zuo)品(Pin)版(Ban)权(Quan)问(Wen)题(Ti)，(?)请(Qing)联(Lian)系(Xi)小(Xiao)编(Bian)进(Jin)行(Xing)处(Chu)理(Li)。(?)
推(Tui)荐(Jian)阅(Yue)读(Du)：(?)
精(Jing)密(Mi)电(Dian)阻(Zu)技(Ji)术(Shu)解(Jie)析(Xi)与(Yu)产(Chan)业(Ye)应(Ying)用(Yong)指(Zhi)南(Nan)
